多孔性酸化シリコン層を用いて形成した超高周波用素子及びその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244420
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】超高周波領域で発生するシリコン基板による信号損失を防止することによって数十GHzの超高周波領域でも動作できる超高周波用素子を提供する。【解決手段】シリコン基板上に多孔性酸化シリコンからなる柱状部が形成されており、この柱状部の上には孔を有する絶縁膜が形成されており、絶縁膜の上にはインダクタ、コンデンサ、抵抗などの受動素子が形成されている。このようにすると、受動素子が多孔性酸化シリコン柱状部によってシリコン基板から分離されているので電磁気場の大部分が空中に形成される。従って1GHz以上の超高周波領域でもシリコン基板による信号損失は殆ど発生しない。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記基板上に形成されており、多孔性酸化シリコンからなる柱状部と、前記柱状部によって支持されている素子パターンとを含む超高周波用素子。

IPC (7件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01C 17/06 , H01F 17/00 , H01G 4/33 , H01L 21/768 , H01L 25/00

FI (8件)：

H01C 17/06 K , H01F 17/00 B , H01L 25/00 B , H01L 27/04 L , H01G 4/06 102 , H01L 21/90 N , H01L 27/04 C , H01L 27/04 P

Fターム (45件)：

5E032AB01 , 5E032BA12 , 5E032BB01 , 5E032CC18 , 5E070AA01 , 5E070AB07 , 5E070CB12 , 5E070CB13 , 5E082AB02 , 5E082AB03 , 5E082BB05 , 5E082EE05 , 5E082EE39 , 5E082FG03 , 5E082FG42 , 5E082KK01 , 5F033HH08 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033PP27 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR22 , 5F033RR30 , 5F033SS11 , 5F033VV08 , 5F033VV09 , 5F033VV10 , 5F033XX00 , 5F033XX24 , 5F038AC04 , 5F038AC05 , 5F038AR07 , 5F038AZ04 , 5F038AZ09 , 5F038BE07 , 5F038DF02 , 5F038EZ04 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (5件)

エアーブリッジ配線およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028468 出願人：ソニー株式会社
特開平4-304653
特開昭58-009334

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