光半導体素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-361219
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195808
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】広範囲の光学ギャップが自由に選べ、優れた光導電特性と高速応答性かつ耐環境特性や耐高温度特性を有し光学的に活性で、大面積で、安価な新しいオプトエレクトロニクス材料となりえる非単結晶材料を用いた光半導体素子を提供する。【解決手段】基板上に、少なくとも、第一の層と第一の層より光学ギャップの小さい第二の層とを交互に積層し、さらに第二の層の光学ギャップより大きい光学ギャップを有する第三の層を積層してなる構造単位を有する光半導体素子において、前記第一の層と前記第二の層と前記第三の層が、それぞれ、Al, Ga, Inの少なくとも一つの元素とチッ素と0.5 原子%以上50原子%以下の水素を含む非単結晶材料からなり、前記第二の層の層厚が5〜200 Åである光半導体素子。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、第一の層と第一の層より光学ギャップの小さい第二の層とを交互に積層し、さらに第二の層の光学ギャップより大きい光学ギャップを有する第三の層を積層してなる構造単位を有する光半導体素子において、前記第一の層と前記第二の層と前記第三の層が、それぞれ、Al, Ga,Inの少なくとも一つの元素とチッ素と0.5 原子%以上50原子%以下の水素を含む非単結晶材料からなり、前記第二の層の層厚が5〜200 Åであることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-192772
特開昭62-069691
特開昭62-051275

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