特許

J-GLOBAL ID：200903034435706670

膜体部改質装置及び膜体部改質方法

発明者： 田邉 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324402
公開番号（公開出願番号）：特開2001-142094
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 大型のデバイスを製造する際、被処理膜体部の改質処理操作を容易に且つ効率的に行い得る膜体部改質装置及び膜体部改質方法を提供する。【解決手段】 光源10、当該光源10から出射される光ビーム20を所望の形状に成形すると共に、当該成形された光ビーム25を所望の方向に指向させる光路移動手段3、及び被処理膜体部2を含む基板4を搭載し、当該被処理膜体部2の所望の部位30を当該光路に対応せしめる様に移動可能に構成された基板移動手段1とから構成された膜体部改質装置であって、当該光路移動手段3の動作精度は、当該基板移動手段1の動作精度よりも高くなる様に構成されている膜体部改質装置100。

請求項（抜粋）：

光源、当該光源から出射される光ビームを所望の形状に成形すると共に、当該成形された光ビームを所望の方向に指向させる光路移動手段、及び被処理膜体部を含む基板を搭載し、当該被処理膜体部の所望の部位を当該光路に対応せしめる様に移動可能に構成された基板移動手段とから構成された膜体部改質装置であって、当該光路移動手段の動作精度は、当該基板移動手段の動作精度よりも高くなる様に構成されている事を特徴とする膜体部改質装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1365 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

G02F 1/13 101 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (58件)：

2H088FA10 ,  2H088FA11 ,  2H088FA16 ,  2H088FA17 ,  2H088FA20 ,  2H088FA23 ,  2H088FA25 ,  2H088FA30 ,  2H088HA08 ,  2H088MA16 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092MA20 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA13 ,  5F052BA11 ,  5F052BA12 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052FA28 ,  5F052JA01 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-144886
  
• 整合用マークと整合方法およびビームアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-096970   出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 半導体薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-194024   出願人：日本電気株式会社, 住友重機械工業株式会社, アネルバ株式会社