イオンが注入された構造体および形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-539866
公開番号（公開出願番号）：特表2001-517364
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】イオン注入、およびイオンがある濃度に注入されたシリコンを含む材料に対して選択的なエッチング・プロセス、または比較的注入されたシリコンが少ない材料に対して、選択的なエッチング・プロセスによる、シリコンを含む材料の成形済みの構造体を形成するための方法。通常、上記方法の場合には、最初に、半導体基板上のポリシリコンまたはエピタキシャル・シリコンのようなシリコンを含む材料の層の供給が行われる。その後で、シリコンを含む材料の層がマスクされ、上記シリコンを含む材料の層の露出した部分にイオンが注入される。マスクが除去され、上記選択的エッチング・プロセスが行われ、その結果、シリコンを含む材料の層のイオン注入部分、および比較的注入されたイオンが少ない部分の中の一方が、エッチングにより除去され、他の部分が残ってシリコンを含む材料の成形済みの構造体を形成する。ある好適な選択的エッチング・プロセスの場合には、脱イオン水に、選択した重量パーセントの水酸化テトラメチル・アンモンニウムを含むエッチング溶液が使用される。上記エッチング溶液は、比較的注入されたシリコンが少ない部分を、イオンのしきい値濃度以上にイオンが注入されたシリコンを含む材料を、エッチングする速度の60倍までの速度でエッチングする。隆起成形済みの構造体、成形済みの開口部、ポリシリコン・プラグ、コンデンサの電荷貯蔵ノード、サラウンド・ゲート・トランジスタ、自立壁部、相互接続ライン、トレンチ・コンデンサ、およびトレンチ分離領域を形成するために、種々の方法が使用される。

請求項（抜粋）：

半導体基板から選択的に材料を除去する方法であって、半導体基板上に、その内部に第一の部分と第二の部分とを持ち、前記第一の部分が、前記第二の部分に注入される原子の粒子の濃度と比較すると、かなり高い原子の粒子の濃度が注入されているある量の材料を供給するステップと、前記第一の部分の材料除去速度より、かなり速い材料除去速度で、前記第二の部分から前記材料を選択的に除去するステップとを含む方法。

IPC (21件)：

H01L 21/306 , B81B 3/00 , B81C 1/00 , H01L 21/265 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/3213 , H01L 21/336 , H01L 21/76 , H01L 21/768 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 27/10 431 , H01L 27/108 , H01L 29/78

FI (26件)：

B81B 3/00 , B81C 1/00 , H01L 21/28 E , H01L 21/28 301 A , H01L 27/10 431 , H01L 21/306 B , H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 R , H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 W , H01L 21/265 V , H01L 21/265 F , H01L 21/265 P , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 671 Z , H01L 27/10 625 C , H01L 27/08 321 F , H01L 27/08 102 C , H01L 27/08 102 D , H01L 21/76 L , H01L 21/90 A , H01L 21/88 C , H01L 21/88 P , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-072622
シリコンの選択的エッチングのための方法および組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-224783 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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