特許
J-GLOBAL ID：200903034464221821
半導体光非線形装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273313
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084321
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易であり、高速な応答性を有する半導体光非線形装置を提供する。【解決手段】 面型光-光スイッチ、光非線形反射鏡、あるいは光非線形吸収体を構成する光非線形媒質として半導体薄膜結晶を用い、主たる動作に関与する光の波長に対応するフォトンのエネルギーがその半導体薄膜のバンドギャップエネルギーよりも80meV以上高いエネルギーとなるように設定する。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜と、該半導体薄膜を挟むように配設された反射膜を有し、信号光が入射され、出射する構成をとり、制御光により、前記信号光が制御される半導体光非線形装置において、前記半導体薄膜のバンドギャップエネルギーが前記制御光や信号光の波長に対応するフォトンエネルギーよりも80meV以上小さくなるようにしたことを特徴とする半導体光非線形装置。
IPC (3件)：
G02F 1/35
, G02F 1/365
, H01S 5/065
G02F 1/35
, G02F 1/365
, H01S 5/065
2K002AA02
, 2K002AB09
, 2K002BA02
, 2K002CA13
, 2K002DA11
, 2K002EA03
, 2K002EA29
, 2K002HA30
, 5F073AA62
, 5F073AA83
, 5F073AB21
審査官引用 (1件)
-
光半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-180522
出願人：日本電信電話株式会社
引用文献：
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