特許
J-GLOBAL ID：200903067160596000
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180522
公開番号（公開出願番号）：特開平7-036065
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 制御光の照射によって励起されたキャリアの寿命を極めて短くすることができ、さらに小さな制御励起光によっても大きな消光比を得ることのできる光半導体装置を提供する。【構成】 光非線形材料として、通常の成長温度より低い温度で成長させるとともにp型元素またはBeをドープし、成長後にアニール処理を施した量子井戸層を用いることを特徴とする。さらに、小さな励起光に対し大きな消光比を得るために、この量子井戸層をn型とp型の半導体DBRミラーで挟むp-i-n構造を採用する。
請求項（抜粋）：
n型InP基板上に、SiドープInP/InGaAsPDBRミラー層が形成され、前記SiドープDBRミラー層上に、低温度成長量子井戸層が形成され、前記量子井戸層上に、BeドープInP/InGaAsP DBRミラー層が形成され、前記BeドープDBRミラー層上に、BeドープInGaAsPコンタクト層が形成されてなり、前記低温度成長量子井戸層が、150°C〜400°Cで成長されたものであることを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/35
, G02F 1/015 505
, G02F 3/00
