特許
J-GLOBAL ID：200903034477257825
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010260
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221311
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタに電極配線を形成するためのウエットエッチング工程および水洗工程で金属配線の一部が腐食により欠けたり断線したりすることを防止する。【構成】 絶縁基板1の上に薄膜トランジスタとなる半導体薄膜の島領域2、ゲート絶縁膜3、ゲート電極4、層間絶縁膜5を形成する工程と、層間絶縁膜に開口を形成した後全面にAl-Si薄膜6を形成する工程と、Al-Si薄膜6の所定の領域を残すためのレジストパターン7を形成する工程と、Al-Si薄膜6をウエットエッチングして電極配線9を形成する工程と、レジストパターン7を除去し水洗する工程とを有し、ウエットエッチング工程および水洗工程の前に絶縁基板1の表面に蓄積された静電気を除去する工程を付加した。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの表面を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、前記薄膜トランジスタのソース、ドレインそれぞれに達する開口を前記層間絶縁膜に形成する工程と、前記薄膜トランジスタを覆って金属薄膜を形成する工程と、前記金属薄膜の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記金属薄膜をエッチングし電極配線を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、レジストパターンを除去した絶縁基板を水洗する工程とを有し、かつ前記金属薄膜をエッチングする工程、前記レジストパターンを除去する工程および絶縁基板を水洗する工程の少なくともいずれかの前に前記絶縁基板から静電気を除去する工程を付加した薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/306
, H01L 29/40
H01L 29/78 311 Y
, H01L 21/306 F
