特許
J-GLOBAL ID：200903034484331585

半導体製造・検査装置用セラミックヒータ

発明者：
平松 靖二

平松 靖二 について


出願人/特許権者：
イビデン株式会社

イビデン株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 康男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-163012
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351765
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 抵抗発熱体の短絡を防止することができ、セラミックヒータとして良好に機能するセラミックヒータを提供すること。【解決手段】 セラミック基板の表面の少なくとも一部に、前記セラミック基板よりも高い体積抵抗率を有する絶縁層が形成され、前記絶縁層上に抵抗発熱体が形成されてなることを特徴とするセラミックヒータ。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の表面の少なくとも一部に、前記セラミック基板よりも高い体積抵抗率を有する絶縁層が形成され、前記絶縁層上に抵抗発熱体が形成されてなることを特徴とするセラミックヒータ。
IPC (6件)：
H05B 3/20 328 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/16
FI (6件)：
H05B 3/20 328 ,  H01L 21/205 ,  H05B 3/10 C ,  H05B 3/16 ,  H01L 21/30 567 ,  H01L 21/302 B
Fターム (62件)：
3K034AA02 ,  3K034AA08 ,  3K034AA10 ,  3K034AA20 ,  3K034AA21 ,  3K034AA22 ,  3K034AA34 ,  3K034BB05 ,  3K034BB06 ,  3K034BB13 ,  3K034BB14 ,  3K034BC01 ,  3K034BC12 ,  3K034BC29 ,  3K034CA03 ,  3K034CA14 ,  3K034CA15 ,  3K034CA22 ,  3K034CA26 ,  3K034DA04 ,  3K034DA08 ,  3K034HA01 ,  3K034HA10 ,  3K034JA01 ,  3K092PP09 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB18 ,  3K092QB20 ,  3K092QB31 ,  3K092QB33 ,  3K092QB44 ,  3K092QB45 ,  3K092QB76 ,  3K092QC05 ,  3K092QC18 ,  3K092QC38 ,  3K092QC43 ,  3K092QC49 ,  3K092QC52 ,  3K092RF02 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF12 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22 ,  3K092UA05 ,  3K092UA17 ,  3K092VV06 ,  3K092VV22 ,  3K092VV25 ,  3K092VV28 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F045BB01 ,  5F045EK09 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F046KA04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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