特許
J-GLOBAL ID：200903034491128752

半導体基板の切断方法及び半導体基板切断時固定用シ-ト

発明者：
和野 隆司

和野 隆司 について

, 
森山 順一

森山 順一 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005140
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196330
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】吸引式テ-ブル上に多孔質シ-トを介して半導体基板を載置し、吸引式テ-ブルの減圧吸引により多孔質シ-トの連続気孔を通じて半導体基板を吸引固定しつつブレ-ドで良好にダイシングできるようにする。【解決手段】吸引式テ-ブル1上に多孔質シ-トAを介して半導体基板2を載置し、吸引式テ-ブル1の減圧吸引により多孔質シ-トAの連続気孔を通じて半導体基板2を吸引固定しつつブレ-ド3で切断する方法であり、半導体基板に接する多孔質シ-ト表面の上記基板の切断箇所直下に臨まされる部分に溝を形成する。
請求項（抜粋）：
吸引式テ-ブル上に多孔質シ-トを介して半導体基板を載置し、吸引式テ-ブルの減圧吸引により多孔質シ-トの連続気孔を通じて半導体基板を吸引固定しつつブレ-ドで切断する方法であり、半導体基板に接する多孔質シ-ト表面の上記基板の切断箇所直下に臨まされる部分に溝を形成することを特徴とする半導体基板の切断方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  C08J 9/24 CES ,  H01L 21/68
FI (4件)：
C08J 9/24 CES ,  H01L 21/68 P ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/78 M
Fターム (7件)：
4F074AA17 ,  4F074CA52 ,  4F074DA59 ,  5F031CA02 ,  5F031HA10 ,  5F031HA13 ,  5F031MA34
引用特許：
審査官引用 (5件)
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