特許
J-GLOBAL ID：200903034502718271
可変範囲水素センサとして使用するための金属ナノワイヤの形成
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-531908
公開番号（公開出願番号）：特表2005-537469
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
本発明は、可変範囲水素センサ(502)およびこれを作製するための方法を提供する。このような可変範囲水素センサ(502)は、ナノブレイクジャンクション(302)を中に有し、このナノワイヤ(106,301)は、所定の寸法および配向を有する、一連の製造されたPd-Ag(パラジウム-銀)ナノワイヤ(106,301)(この一連のワイヤの各々のワイヤは、異なるAg 対 Pdの比を有する)を備える。このナノワイヤ(106,301)がH2に曝される場合、それらの格子は、H2濃度が閾値(Pd 対 Agのその特定の比に特有である)に達すると、膨張する。このことにより、ナノブレイクジャンクション(302)が閉じて、ワイヤの長さに沿って6〜8桁の大きさの抵抗の減少がもたらされ、水素濃度の範囲についての検知機構が提供される。
請求項（抜粋）：
水素センサであって、該センサは、以下:
a)誘電性表面材料;および
b)該誘電性表面上にPdおよびAgを含む少なくとも一本の金属ナノワイヤであって、ここで該金属ナノワイヤは、少なくとも1つのナノブレイクジャンクションを含み、該ナノブレイクジャンクションは、閾値水素濃度に曝された場合に閉じる、金属ナノワイヤ、
を備える、水素センサ。
IPC (4件)：
G01N27/04
, B82B1/00
, B82B3/00
, G01N27/22
G01N27/04 D
, B82B1/00
, B82B3/00
, G01N27/22 A
2G060AA02
, 2G060AB03
, 2G060AF07
, 2G060AF08
, 2G060AF10
, 2G060AG15
