特許

J-GLOBAL ID：200903034511161824

熱を利用した切替えを実行する情報記憶装置

発明者： ジャニス・エイチ・ニッケル ,  ラング・ティー・トラン
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 岡田 次生 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384427
公開番号（公開出願番号）：特開2002-245774
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 MRAM装置の磁性メモリ素子への書込みの信頼性を高めるための装置を提供する。【解決手段】 磁性メモリ素子(114)からなるアレイ(112)と、前記メモリ素子(114)のための複数の加熱素子(120b)とを備える情報記憶装置(110)。態様によれば、前記加熱素子(120b)は、前記メモリ素子(114)から離隔して配置される。態様によれば、前記加熱素子(120b)は、前記アレイ(112)を横切って延在する加熱線(120)に含まれる。態様によれば、前記各加熱線(120)は、前記加熱素子(120b)によって分離される導電性のライン(120a)を含む。態様によれば、前記加熱線(120)は、前記アレイ(112)を斜め方向に横切って延在する。

請求項（抜粋）：

情報記憶装置であって、磁性メモリ素子からなるアレイと、前記メモリ素子のための複数の加熱素子とを備える装置。

IPC (4件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (1件)：

5F083FZ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084554   出願人：名古屋大学長, 三洋電機株式会社
• 特開昭61-050277
  
• 特開平4-023293
  
• 磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301614   出願人：山崎陽太郎, ティーディーケイ株式会社