磁気メモリデバイス

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：目次誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084554
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285668
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】小さな動作磁界で、かつ隣接セルへの影響を低減させて情報の記録再生を行うことができる磁気メモリデバイスを得る。【解決手段】マトリックス状に配列された磁気メモリ素子1と、情報の記録再生のため磁気メモリ素子1に磁界を印加する磁界印加手段2と、選択した磁気メモリ素子1に対してのみ磁界印加手段2からの磁界によって動作可能となるように該磁気メモリ素子1を加熱する素子加熱手段3とを備えることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

マトリックス状に配列された磁気メモリ素子と、情報の記録再生のため前記磁気メモリ素子に磁界を印加する磁界印加手段と、前記磁気メモリ素子のうち、選択した磁気メモリ素子に対してのみ前記磁界印加手段からの磁界によって動作可能となるように該磁気メモリ素子を加熱する素子加熱手段とを備える磁気メモリデバイス。

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-027019 出願人：株式会社日立製作所
磁性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-026186 出願人：株式会社日立製作所
特開昭50-002832

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