特許
J-GLOBAL ID：200903034515301370
高周波デバイス
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-132079
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307307
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 簡単な構成で共振周波数を高速かつ広範囲に可変でき、また共振素子に超伝導体を用いる場合に超伝導体の低損失性を犠牲にすることがなく、さらに無負荷Q値を高くできる高周波デバイスを提供する。【解決手段】 裏面にグランド面11が設けられた基板12上に共振素子14が設けられたマイクロストリップライン構造の共振器上に、電圧を印加することによって誘電率が変化する誘電体17と、電圧を印可する電極16,18と、電圧印加素子16を共振素子14と絶縁するための絶縁用誘電体15をそれぞれ積層される。
請求項（抜粋）：
超伝導体からなる共振素子を含む共振器と、前記共振器上に積層された電気絶縁層と、前記電気絶縁層上に積層された第1電極と、前記第1電極層上に積層され、印加電界に従って誘電率が変化する誘電体層と、前記誘電体層上に積層された第2電極と、前記共振素子の共振周波数が所望の周波数になるように、前記第1及び第2電極にエネルギーを供給する供給手段とを具備することを特徴とする高周波デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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特開平1-238306
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特開平4-368006
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特開昭63-128618
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