特許
J-GLOBAL ID：200903085639456243
特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-110488
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046253
出願日： 1994年04月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【構成】 誘電体基板4と、基板4上に順に積層された酸化物超電導体による超電導グランドプレーン11および誘電体層3と、誘電体層3上に配置された酸化物超電導薄膜の超電導インダクタパターン10が配置されている。超電導グランドプレーン11と超電導インダクタパターン10との間にバイアス電圧を印加して、超電導グランドプレーン11および超電導インダクタパターン10の導電性および誘電体層3の誘電特性を変化させ、これにより表面リアクタンスおよび表面抵抗を変更可能に構成されている。
請求項（抜粋）：
誘電体基板と、誘電体基板上に配置された酸化物超電導体による第1の超電導部材と、第1の超電導部材上に配置された誘電体層と、誘電体層上に配置された第2の導体部材とを備え、前記第1の超電導部材の導電性および/または前記誘電体層の誘電特性が、前記第1の超電導部材および第2の導体部材の間に印加された直流バイアス電圧により変化し、これにより表面リアクタンスおよび/または表面抵抗を変更可能に構成されていることを特徴とする集中定数型超電導マイクロ波素子構造。
IPC (6件)：
H01L 39/00 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
, H01P 1/18 ZAA
, H01P 3/08
, H01P 5/18 ZAA
, H01P 9/00 ZAA
