特許
J-GLOBAL ID：200903034546167639
シリコン単結晶の引上げ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246868
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055091
出願日： 2001年08月16日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：
【要約】【課題】 比較的少ない電力及び比較的狭い空間で、無欠陥であって、しかも酸素濃度が制御されたシリコン単結晶のインゴットを比較的容易に製造する。【解決手段】 石英るつぼを所定の回転速度で回転させ、シリコン単結晶インゴットを所定の回転速度で回転させる。るつぼ回転軸をそれぞれコイル中心としかつ鉛直方向に所定の間隔Tをあけて第1及び第2コイル11,12を配設し、第1及び第2コイルにそれぞれ同じ向きの電流を流して縦磁場を発生させる。インゴット内がパーフェクト領域となる引上げ速度でインゴットを引上げ、インゴットの半径をRとするとき、シリコン融液とインゴットとの固液界面の中心の鉛直方向の温度勾配Gcと中心よりR-20mm周縁の鉛直方向の温度勾配Gpとの差ΔGが0.3°C/mm以下となるように、間隔Tの中間位置17a、縦磁場強度、るつぼ回転速度及びインゴット回転速度を制御する。
請求項（抜粋）：
シリコン融液(13)を貯留する石英るつぼ(14)を所定の回転速度で回転させ、前記シリコン融液(13)から引上げられるシリコン単結晶のインゴット(16)を所定の回転速度で回転させ、前記石英るつぼ(14)の外径より大きな互いに同一のコイル直径を有する第1及び第2コイル(11,12)を前記石英るつぼ(14)の回転軸をそれぞれコイル中心としかつ鉛直方向に所定の間隔Tをあけて配設し、前記第1及び第2コイル(11,12)にそれぞれ同じ向きの電流を流すことにより前記第1及び第2コイルの各コイル中心に沿って縦方向へ延びる縦磁場(17)を発生させ、前記インゴット(16)内が格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体の存在しないパーフェクト領域となる引上げ速度で前記インゴットを引上げるシリコン単結晶の引上げ方法において、前記インゴット(16)の半径をRとするとき、前記シリコン融液(13)と前記インゴット(16)との固液界面(19)の中心の鉛直方向の温度勾配Gcと前記中心よりR-20mm周縁の鉛直方向の温度勾配Gpとの差ΔG(|Gc-Gp|)が0.3°C/mm以下となるように、前記第1及び第2コイル(11,12)の間隔Tの中間位置(17a)と、前記縦磁場(17)の強度と、前記石英るつぼ(14)の回転速度と、前記インゴット(16)の回転速度とを制御することを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。但し、|Gc-Gp|はGc-Gpの絶対値を示す。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
C30B 29/06 502 J
, C30B 29/06 502 G
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH08
, 4G077EH10
, 4G077EJ02
, 4G077HA12
, 4G077PF55
, 4G077PG01
, 4G077PG03
