特許
J-GLOBAL ID：200903063991710032
高品質シリコン単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339466
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158690
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】CZ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる、径の大きい長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。【解決手段】引き上げ中の固液界面の形状を周辺部に対し中央部の高さが6mm以上の上凸状とし、かつ磁場を印加しつつ引き上げるか、またはこれに加えてさらに引き上げ軸方向の温度勾配を、融点〜1200°Cの間で中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにして引き上げるシリコン単結晶の製造方法。この場合、単結晶表面の融液面から少なくとも60mmより上の部分を、ヒーターないしはるつぼ壁面からの直接の輻射熱から遮蔽し、融液面に平行な水平方向の0.08〜0.3Tの磁場を印加するか、または融液表面のるつぼ壁位置にて0.02〜0.07Tのカスプ磁場を印加して、るつぼの回転速度を5min-1以下、単結晶の回転速度を13min-1以上とする。
請求項（抜粋）：
融液からのシリコン単結晶引き上げ法において、引き上げ中の固液界面の形状を周辺部に対し中央部の高さが5mmを超える上凸状とし、かつ磁場を印加しつつ引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, C30B 15/20
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 G
, C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
, H01L 21/208 P
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG20
, 4G077EH08
, 4G077EJ02
, 4G077PA06
, 5F053AA14
, 5F053BB04
, 5F053BB08
, 5F053BB23
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053RR03
, 5F053RR04
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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