特許
J-GLOBAL ID:200903034547516750

回路基板装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 広瀬 和彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-180349
公開番号(公開出願番号):特開2004-023074
出願日: 2002年06月20日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】高周波用のセラミックス基板を樹脂基板上に設けることにより、セラミックス基板を小型化し、マザーボードへの搭載状態を安定させる。【解決手段】樹脂基板2には、例えば5〜6GHz程度の自己共振周波数を有する電子部品7〜9を半田実装する。また、セラミックス基板13には、この自己共振周波数よりも高い周波数の信号を処理する半導体素子17をワイヤボンディング等によって実装し、この基板13を樹脂基板2に搭載する。これにより、樹脂基板2を樹脂製のマザーボード19等に安定的に搭載でき、またセラミックス基板13側の部品点数を抑えて基板13を小型化することができる。また、半導体素子17を電子部品7〜9、基板13と別工程で実装でき、半田10,16中のフラックス等によるワイヤ17Aの接続不良等を防止することができる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
樹脂材料により形成されマザーボードに搭載される樹脂基板と、該樹脂基板に実装された電子部品と、セラミックス材料により形成され該電子部品と異なる位置で前記樹脂基板に搭載された1個または複数個のセラミックス基板と、高周波信号を処理するため該セラミックス基板に実装され前記電子部品と接続される半導体素子とから構成してなる回路基板装置。
IPC (3件):
H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H05K1/18
FI (2件):
H01L25/04 Z ,  H05K1/18 S
Fターム (10件):
5E336AA04 ,  5E336AA12 ,  5E336AA16 ,  5E336BB02 ,  5E336BB18 ,  5E336CC31 ,  5E336CC32 ,  5E336CC51 ,  5E336CC58 ,  5E336GG11
引用特許:
審査官引用 (2件)

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