特許

J-GLOBAL ID：200903034548778503

半導体装置

発明者： 赤川 圭一 ,  八木 健
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035989
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232549
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 ホットキャリア効果により生ずるフォトンが受光素子に入射することにより生ずる固定パターンノイズを抑制する。【解決手段】 イメージセンサ上に配置されているMOSトランジスタのドレイン拡散領域2のゲート電極6に隣接する部分に、不純物濃度がドレイン領域2よりも低い低濃度領域4を設け、その部分の電界強度を下げることにより、ホットキャリア効果を抑制する。

請求項（抜粋）：

光を受光する受光素子と、前記受光素子の出力を増幅する多数キャリア素子とを含む半導体装置において、前記多数キャリア素子の特定の信号端子の一部の不純物濃度が、前記信号端子の他の部分の不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/14 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 K ,  H04N 5/335 F ,  H01L 29/76 301 C ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電荷結合素子型イメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-073411   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法及びCCD固体撮像素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-120355   出願人：ソニー株式会社