特許
J-GLOBAL ID:200903034549252319
電気スイッチングアセンブリ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
加藤 公久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-119284
公開番号(公開出願番号):特開2004-335456
出願日: 2004年04月14日
公開日(公表日): 2004年11月25日
要約:
【課題】機能を改善し、電力消費量を削減し、信頼性と他回路との相互接続性を向上させた電気スイッチングアセンブリを提供する。【解決手段】上記課題は、第1非導電性基板と、第1非導電性基板の第1表面上に堆積され、ヒーター空洞、液体金属チャネル、及びヒーター空洞を液体金属チャネルに沿う位置に接続する通路を生成するべくパターン化された第1誘電材料レイヤと、第2非導電性基板と、第2非導電性基板の第1表面上に堆積され、少なくとも第1誘電材料レイヤのヒーター空洞と一致するべくパターン化された第2誘電材料レイヤと、第2誘電材料レイヤ上に堆積され、第1誘電材料レイヤのパターンと一致するべくパターン化された接着剤レイヤとを有し、第1及び第2非導電性基板の表面は、互いに対向しており、介在する第1及び第2誘電材料レイヤと接着剤レイヤを介して接触状態にあることを特徴とする電気スイッチングアセンブリにより解決される。【選択図】図8
請求項(抜粋):
電気スイッチングアセンブリであって
第1及び第2表面を有する第1非導電性基板と、
前記第1非導電性基板の前記第1表面上に堆積され、ヒーター空洞、液体金属チャネル、及び前記ヒーター空洞を前記液体金属チャネルに沿う位置に接続する通路を生成するべくパターン化された第1誘電材料レイヤと、
第1表面を有する第2非導電性基板と、
前記第2非導電性基板の前記第1表面上に堆積され、少なくとも前記第1誘電材料レイヤの前記ヒーター空洞と一致するべくパターン化された第2誘電材料レイヤと、
前記第2誘電材料レイヤ上に堆積され、前記第1誘電材料レイヤの前記パターンと一致するべくパターン化された接着剤レイヤとを有し、
前記第1及び第2非導電性基板の表面は、互いに対向しており、介在する前記第1及び第2誘電材料レイヤと前記接着剤レイヤを介して接触状態にあることを特徴とする電気スイッチングアセンブリ。
IPC (4件):
H01H61/01
, H01H29/02
, H01H29/30
, H01H61/00
FI (4件):
H01H61/01 F
, H01H29/02 E
, H01H29/30 E
, H01H61/00 T
引用特許:
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