特許

J-GLOBAL ID：200903034557944483

光半導体素子用ステム及び光半導体装置

発明者： 黒澤 卓也 ,  日詰 久雄
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-141932
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349320
出願日： 2003年05月20日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】気密封止する必要がない信頼性が高い半導体レーザ素子が、放熱特性の高い状態で実装される簡易な構造の光半導体素子用ステムを提供する。【解決手段】基体部を構成するアイレット10と、アイレット10の周縁部に立設された防御部14と、アイレット10上であって、かつ防御部14の内側に立設され、側面に光半導体素子が実装される放熱部12とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体部を構成するアイレットと、 前記アイレットの周縁部に立設された防御部と、 前記アイレット上であって、かつ前記防御部の内側に立設され、側面に光半導体素子が実装される放熱部とを有することを特徴とする光半導体素子用ステム。

IPC (3件)：

H01S5/022 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48

FI (3件)：

H01S5/022 ,  H01L23/48 Y ,  H01L23/36 C

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BB09 ,  5F036BD01 ,  5F073EA29 ,  5F073FA24 ,  5F073FA30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-036142   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社