特許

J-GLOBAL ID：200903081813718338

半導体レーザ装置

発明者： 本多 正治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036142
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006659
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】半導体レーザ装置の放熱性を改善すること。【解決手段】円状のベース部3とヒートシンク部4からなるパッケージ2の前記ヒートシンク部4に半導体レーザ素子9を配置した半導体レーザ装置1において、前記ヒートシンク部4を前記ベース部3と同心円状の円柱形状とし、このヒートシンク部4の軸方向にそって溝5を形成し、この溝5の底部6に前記半導体レーザ素子9を配置したことを特徴とする。パッケージ部2は、ベース部3とヒートシンク部4を銅などの金属によって一体的に形成することにより、放熱性を高めることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

円柱状のヒートシンク部の軸方向にそって溝を形成し、この溝の内壁面に半導体レーザ素子を配置したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S5/022 ,  G11B7/125

FI (2件)：

H01S5/022 ,  G11B7/125 A

Fターム (12件)：

5D789AA01 ,  5D789AA33 ,  5D789BA01 ,  5D789FA05 ,  5D789FA32 ,  5F073AB25 ,  5F073AB26 ,  5F073BA05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA11 ,  5F073FA27 ,  5F073FA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-067277   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-116917   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-136095   出願人：日亜化学工業株式会社
• レーザダイオード装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-061701   出願人：株式会社東芝