特許
J-GLOBAL ID：200903034559209870

n-型半導体を有する装置

発明者：
ベン エス オン

ベン エス オン について

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ダサラオ ケイ マルティ

ダサラオ ケイ マルティ について

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ジェイムス エム ダフ

ジェイムス エム ダフ について

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イーリャン ウー

イーリャン ウー について


出願人/特許権者：
ゼロックス コーポレイション

ゼロックス コーポレイション について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-215590
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045266
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】有機コンプリメンタリ回路のn型成分として開発された材料は少なく、電子装置に好適なn型半導体材料の選択肢が狭かった。【解決手段】複数の電極と接触する半導体層を含む電子装置であって、前記半導体層は下記化1および化2に示される幾何異性体のどちらかまたは両方が存在する化合物を含み、 【化1】 (トランス) 【化2】 (シス) 前記化1、および化2中、多環状部分のnは1、2、または3であり、R1およびR2は炭化水素環および複素環基からなる群から独立に選択され、R1およびR2は同じまたは異なる炭化水素環または複素環基、またはR1とR2の一つが炭化水素環でもう一つが複素環基であることを特徴とする電子装置。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
複数の電極と接触する半導体層を含む電子装置であって、 前記半導体層は下記化1および化2に示される幾何異性体のどちらかまたは両方が存在する化合物を含み、
IPC (2件)：
H01L51/00 ,  H01L29/786
FI (2件)：
H01L29/28 ,  H01L29/78 618B
Fターム (32件)：
5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6387727号明細書
  • 米国特許出願公開第2002/0164835号明細書
  • 米国特許第4587189号明細書
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審査官引用 (7件)
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