電界効果トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-158834
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033185
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】特定複素環化合物をn型半導体とする電界効果トランジスタを提供する事が可能となる。【解決手段】分子量が2000以下の下記一般式(I)で表される化合物を用いた電界効果トランジスタ。(式中、Q及びRはそれぞれ独立して置換されていても良い芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、Q及びRはそれぞれ連結基と一緒になって形成している環A及びBは5員環又は6員環である。XはOまたはS原子を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

分子量が2000以下の下記一般式(I)で表される化合物を用いた電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L51/00 , C07D471/22 , H01L29/786 , H01L29/80

FI (4件)：

H01L29/28 , C07D471/22 , H01L29/78 618B , H01L29/80 V

Fターム (66件)：

4C065AA03 , 4C065AA18 , 4C065AA19 , 4C065BB05 , 4C065CC01 , 4C065DD04 , 4C065EE04 , 4C065HH01 , 4C065JJ04 , 4C065KK01 , 4C065LL02 , 4C065PP01 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GL01 , 5F102GT02 , 5F102HC11 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN71

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭61-202469号公報
特許2984370号公報
N-チャネル半導体材料を含むデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090013 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

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審査官引用 (2件)

特開平3-008375
保護層を含有する有機発光デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-529080 出願人：ザトラスティーズオブプリンストンユニバーシテイ, ザユニバーシティーオブサザンカリフォルニア

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