特許
J-GLOBAL ID:200903034563749331
基板ホルダ上へのポリマーの堆積を削減する装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大塚 康徳 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-516819
公開番号(公開出願番号):特表2001-504160
出願日: 1997年09月30日
公開日(公表日): 2001年03月27日
要約:
【要約】半導体ウエハのような処理基板を処理するプラズマ処理システムにおいて、ポリマーの堆積が、プラズマ処理チャンバ内の焦点リング(16)と静電チャック(14)の間の部位(30)で発生しリングとチャックの間隙で堆積するので、これを防止するために、一連のチャネルを介して基板保持体の外面とこれを取り囲む焦点リングの内面との間で形成される環状間隙に間隙ガスを分配する。このように環状間隙に分配された間隙ガスは処理動作を障害を与えないヘリウムが好ましい。プラズマエッチングの場合には、間隙ガスの流量はこのエッチングの際の縁部への影響を及ぼさない程度の流量に設定される。
請求項(抜粋):
プラズマ処理装置において、 処理チャンバと、 基板を処理するために前記処理チャンバの内部で処理ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にするエネルギー源と、 前記処理チャンバ内において基板を保持するとともに、外面を有する基板保持体と、 前記基板保持体を取り囲むとともに内面を有する部材であって、前記基板保持体の前記外面と前記内面との間で間隙を形成し、前記間隙を前記処理チャンバの内部と流体的に連通させた部材と、 前記基板の処理中に、前記間隙と流体的に連通し前記間隙に間隙ガスを供給することで、処理ガスと揮発性の副産物とが前記間隙に進入することを防止するための間隙ガス供給部とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
C23C 16/44
, H01J 37/32
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
FI (4件):
C23C 16/44 J
, H01J 37/32
, H05H 1/46 A
, H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (4件)
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耐腐食性静電チャック
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-033877
出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-273140
出願人:東京エレクトロン株式会社
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特開平4-010528
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