レジストパターン、配線形成方法、及び電子部品

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143121
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064054
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】より高い温度で配線パターンの形成を行うことが可能な、十分な耐熱性を備えたレジストパターン及びそれを用いた配線形成方法を提供する。【解決手段】基板20上に形成される第1のレジスト層21を、有機溶剤などの剥離液に対する溶解度が高く、かつ耐熱性を有する有機材料から形成し、第1のレジスト層21上に形成される第2のレジスト層22を、露光波長に対する吸光性が高く、かつ耐熱性を有する有機材料から形成し、さらに、第2のレジスト層22上に形成される第3のレジスト層23を、ドライエッチングに対する耐性が高く、かつ耐熱性を有する有機材料から形成する。また、第1のレジスト層21を構成する材料として、ポリジメチルグルタルイミドを主成分とする有機材料を用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、有機溶剤などの剥離液に対する溶解度が高く、かつ耐熱性を有する有機材料からなる第1のレジスト層と、前記第1のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性が高く、かつ耐熱性を有する有機材料からなる第2のレジスト層と、前記第2のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐性が高く、かつ耐熱性を有する有機材料からなる第3のレジスト層とを具備することを特徴とするレジストパターン。

IPC (8件)：

H01L 21/027 , G02F 1/1343 , G03F 7/26 513 , G03F 7/42 , G09F 9/30 330 , H01L 21/3205 , H05K 3/02 , H05K 3/06

FI (8件)：

G02F 1/1343 , G03F 7/26 513 , G03F 7/42 , G09F 9/30 330 Z , H05K 3/02 A , H05K 3/06 F , H01L 21/30 573 , H01L 21/88 G

Fターム (36件)：

2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA37 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H096AA27 , 2H096BA01 , 2H096HA15 , 2H096HA23 , 2H096KA19 , 2H096KA21 , 2H096KA25 , 2H096LA13 , 2H096LA30 , 5C094AA03 , 5C094AA31 , 5C094AA32 , 5C094BA43 , 5C094EA04 , 5C094EB02 , 5E339BE20 , 5E339CD01 , 5E339CE00 , 5E339CF00 , 5E339CF16 , 5E339CF17 , 5E339FF03 , 5F033HH08 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ42 , 5F046NA06 , 5F046NA09 , 5F046NA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-137224
電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-311426 出願人：三菱電機株式会社
アモルファスカーボンを用いた半導体装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049548 出願人：富士通株式会社

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