特許

J-GLOBAL ID：200903034578458775

半導体基板の処理方法、半導体装置の製造方法、及びZnO基板

発明者： 加藤 裕幸 ,  佐野 道宏 ,  小谷 泰司
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-296847
公開番号（公開出願番号）：特開2008-117799
出願日： 2006年10月31日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】 結晶面の区別が容易で、かつ結晶性のよいZnO基板を得るために用いることができる半導体基板の処理方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の処理方法は、(a)表面が鏡面研磨され、裏面が鏡面研磨されていない半導体基板を準備する工程と、(b)裏面をエッチングして、該裏面の粗さを減少させるとともに、半導体基板の反りを減少させる工程とを有する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

(a)表面が鏡面研磨され、裏面が鏡面研磨されていない半導体基板を準備する工程と、 (b)前記裏面をエッチングして、該裏面の粗さを減少させるとともに、前記半導体基板の反りを減少させる工程と を有する半導体基板の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L33/00 D ,  H01L21/306 B

Fターム (10件)：

5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F043AA05 ,  5F043BB12 ,  5F043FF07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-001240   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文