特許
J-GLOBAL ID:200903042883230515
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-001240
公開番号(公開出願番号):特開2005-197410
出願日: 2004年01月06日
公開日(公表日): 2005年07月21日
要約:
【課題】 Zn面を有するZnO系材料層を成長する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)無極性単結晶基板を準備する工程と、(b)前記無極性単結晶基板上に500°C〜800°Cの基板温度でMgO層を厚さ3nm以上エピタキシャルに成長する工程と、(c)前記MgO層上に500°C以下の基板温度でZnO系材料の低温成長層を成長する工程と、(d)前記基板上の低温成長層を700°C以上の温度でアニールする工程と、(e)アニールした前記低温成長層の上に600°C以上の温度でZnO系材料の高温成長層をエピタキシャルに成長する工程と、を含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
単結晶表面を有する下地と、
前記下地上方に成長され、その上にZnO層を成長する時、+c極性を形成することのできるMgOエピタキシャル層と、
前記MgOエピタキシャル層上に成長された+c極性のZnOまたは(Zn,Mg,Cd、Be)(O,S,Se,Te)混晶のエピタキシャル層と、
を有する半導体装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (11件):
5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA41
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA66
, 5F041CA85
, 5F041CA87
, 5F041CA88
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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