特許
J-GLOBAL ID：200903034594247628
イオンプレーティング法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014958
公開番号（公開出願番号）：特開平8-209339
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：
【要約】【目的】所定真空下で真空蒸着と高周波放電によるプラズマ生成を組み合わせて基体上に膜形成するイオンプレーティング法及び装置であって、プラズマの発生が容易で、高密度のプラズマを生成させることができ、しかも、被成膜基体を比較的低温に保って成膜を行うことができるイオンプレーティング法及び装置を提供する。【構成】チャンバ1内の支持手段2に被成膜基体S1を支持させ、排気装置6によりチャンバ1内を所定真空度とし、プラズマ原料ガス供給手段7によりチャンバ1内にプラズマ原料ガスを導入して、高周波電力供給手段により所定周波数の基本高周波電力に変調を重畳した高周波電力を印加してガスをプラズマ化するとともに、蒸発源3から支持手段に支持された被成膜基体S1に向けて物質蒸着するイオンプレーティング法及びこれに用いる装置。
請求項（抜粋）：
排気装置と、プラズマ原料ガス供給手段と、プラズマ生成のための高周波電力供給手段とが付設されたチャンバ内の対向する位置に被成膜基体支持手段と蒸発源とを備えた成膜装置を用い、前記チャンバ内の支持手段に被成膜基体を支持させ、前記排気装置により前記チャンバ内を所定真空度とし、前記プラズマ原料ガス供給手段により前記チャンバ内にプラズマ原料ガスを導入して、前記高周波電力供給手段により所定周波数の基本高周波電力に所定の変調を重畳した状態の高周波電力を印加して該ガスをプラズマ化するとともに、前記蒸発源から前記支持手段に支持された被成膜基体に向けて物質蒸着することで該基体に膜形成することを特徴とするイオンプレーティング法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
