特許

J-GLOBAL ID：200903034594982816

半導体集積回路装置

発明者： 早藤 貴範 ,  森山 一郎 ,  林田 精二 ,  長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209831
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064172
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の高集積化により、配線となる導電体間の寄生容量による電気信号の伝達遅延や混信、また容量低減のために形成した空孔による層間絶縁膜の機械的強度の低下や導電体の腐食等が問題となっている。【解決手段】 第1層間絶縁膜11上には複数の導電体12,13 が形成され、各導電体12,13 が第2層間絶縁膜14で覆われた配線構造を備えた半導体集積回路装置において、各導電体12,13 の上下端を越える空洞15を導電体12,13 間に設けたものである。その空洞15内には導電体12,13 間の絶縁性を保持するように配設される固体よりなる物質(図示省略)を設けてもよい。また上記空洞15は1nPa以上100Pa以下の気圧雰囲気に保持されるか、または気体または液体からなりゲッタリング作用または吸着作用を有する物質を空洞15内に導入してもよい。

請求項（抜粋）：

第1絶縁膜上に形成した複数の導電体と、各導電体を覆う状態に形成した第2絶縁膜とよりなる配線構造を備えた半導体集積回路装置において、前記導電体間に、各導電体の上下端を越えて前記第1絶縁膜中と前記第2絶縁膜中とに入り込む状態に空洞が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置用配線構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-148545   出願人：株式会社日立製作所