特許
J-GLOBAL ID：200903034600435563
フォトダイオードおよびそれを用いた回路内蔵受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306975
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203985
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 静電気によるフォトダイオードの接合容量が異常に増大することを抑制し、応答特性の劣化を防止する。【解決手段】 受光領域100の表面にシリコン酸化膜6およびシリコン窒化膜7から成る反射防止膜が形成され、受光領域100の周辺部に導電性膜であるAlSi膜9が形成され、AlSi膜9上に絶縁性材料から成るPSG保護膜10が形成され、PSG保護膜10の一部を除去してAlSi膜9を露出させた窓領域400を形成する。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板または半導体層と、該第一導電型半導体基板または半導体層上に形成された第二導電型半導体層とを有し、該第一導電型半導体基板または半導体層、および、該第二導電型半導体層の接合により、受光領域に入射する光を検出するフォトダイオードであって、該受光領域の表面に形成された反射防止膜と、該受光領域の周辺部に形成された導電性膜と、該導電性膜上に形成された絶縁性材料からなる保護膜と、を具備し、該受光領域の周辺部において、該保護膜の一部を除去して該導電性膜を露出させた開口部を有する窓領域が形成されていることを特徴とするフォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 J
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB05
, 4M118AB10
, 4M118BA02
, 4M118CA03
, 4M118CA33
, 4M118CA34
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 4M118GB17
, 4M118GB20
, 4M118HA30
, 5F049MA01
, 5F049MB03
, 5F049NA03
, 5F049NB08
, 5F049QA04
, 5F049QA20
, 5F049RA06
, 5F049SE05
, 5F049SZ03
, 5F049SZ12
, 5F049SZ20
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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