分割フォトダイオード及び回路内蔵受光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190281
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040790
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】製造工程の途中で発生する静電気によってフォトダイオードの接合容量が異常になるのを確実に防止でき、応答速度の向上や高周波ノイズの低減が図れる分割フォトダイオードを提供する。【解決手段】反射防止膜5は受光領域の周辺部においてシリコン酸化膜5a及びシリコン窒化膜5bの2層構造になっており、受光領域ではシリコン窒化膜5bの単層構造になっている。また、遮光メタル7の受光領域の中央側の端部は、反射防止膜5の2層構造部よりも中央側に突出し、突出部の下端面がシリコン窒化膜5b上に重畳している。また、PSGカバー膜8の受光領域の中央側の端部は、遮光メタル7の中央側の端部よりも基端側に位置しており、遮光メタル7の先端部を覆わない形状になっている。

請求項（抜粋）：

第二導電型の半導体基板上に第一導電型の半導体層が形成され、且つ該第一導電型の半導体層が第二導電型の半導体層によって複数に分割され、分割された個々の第一導電型の半導体層と該半導体基板とにより、信号光を検出する分割フォトダイオードにおいて、2層以上の膜からなり、受光領域に形成された反射防止膜と、導電性材料からなり、該受光領域の周辺部に形成され、該反射防止膜の周辺部を覆う遮光膜と、絶縁性材料からなり、該遮光膜上に形成された保護膜であって、該受光領域の中央側の端部が、該遮光膜の中央側の端部よりも周辺側に位置している保護膜とを備えた分割フォトダイオード。

IPC (2件)：

H01L 27/14 , H01L 31/02

FI (3件)：

H01L 27/14 Z , H01L 27/14 D , H01L 31/02 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-065867
導波路型光検出装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-244918 出願人：シャープ株式会社
特開平4-152674

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