真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182921
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036198
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】試料の大口径化に対応しつつ、製造コストの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない真空処理装置を提供する。【構成】カセットブロック1と真空処理ブロック2とから構成され、該カセットブロックには、試料を収納した複数のカセット12を載置するカセット台と、前記試料の搬送を行う大気搬送手段とが設けられ、前記真空処理ブロックには、前記試料を真空処理する処理室と、前記試料を搬送する真空搬送手段とが配置された真空処理装置において、前記カセットブロックと前記真空処理ブロックの平面形状がそれぞれ略長方形であり、前記カセットブロックの幅寸法を、前記真空処理ブロックの幅寸法をよりも大きくし、前記真空処理装置の平面形状をL字形またはT字形に形成した。

請求項（抜粋）：

カセットブロックと真空処理ブロックとから構成され、該カセットブロックには、試料を収納したカセットを載置するカセット台が設けられ、前記真空処理ブロックには、前記試料を真空処理する処理室と、前記試料を搬送する真空搬送手段とが配置された真空処理装置において、前記カセットブロックと前記真空処理ブロックの平面形状がそれぞれ略長方形であり、前記カセットブロックの幅をW1 、前記真空処理ブロックの幅をW2 、前記カセットの幅をCwとしたとき、W1-W2 ≧Cw としたことを特徴とする真空処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/68 , H01L 21/02 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/68 A , H01L 21/02 Z , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-108531
半導体製造設備
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-021466 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-108531

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