特許

J-GLOBAL ID：200903034620977796

半導体装置

発明者： 見渡 忠浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330745
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172169
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 オン電流の増加によるスピードの向上とリーク電流の低減による消費電力の低減の双方を同時に満足し得る半導体装置を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板16表面にn型ソース拡散層26とn型ドレイン拡散層25が形成され、これら拡散層26、25上にソース接続孔28、ドレイン接続孔27がそれぞれ形成されたNチャンネルトランジスタ2を有する半導体装置において、ソース接続孔28の径の寸法がドレイン接続孔27の径の寸法よりも1.1倍以上大きくなっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にソース拡散層とドレイン拡散層が形成され、これら拡散層上の絶縁膜が開口されることにより、これら拡散層とその上方の金属配線膜を電気的に接続する接続孔が形成されたMOS型トランジスタを有する半導体装置において、前記ソース拡散層上に形成された接続孔の径の寸法が前記ドレイン拡散層上に形成された接続孔の径の寸法よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/08 321 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-298980   出願人：株式会社リコー