半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298980
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131003
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】微細化の利点を損なわずに素子の性能,特性を向上させることができる。【構成】ソース側のコンタクトホール4aの径がドレイン側のコンタクトホール4bの径よりも大きくなっている。このように、ソース側のコンタクトホール4aの径,すなわち総面積を大きくすることにより、ソース側のコンタクト抵抗を抑え、素子の性能,特性を向上させる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタに適用可能な半導体装置であって、電界効果トランジスタのソース側の寄生抵抗および/または外部抵抗が、ドレイン側の寄生抵抗および/または外部抵抗よりも小さなものとなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (29件)

特開昭55-044748
特開昭61-059867
特開平4-260352

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