特許
J-GLOBAL ID：200903034634708100

導電性パターン及びその形成方法

発明者：
安田 亮一

安田 亮一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-337175
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147910
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 確実に正確に形成でき、導電性材料が親水性のものに限定されず、導電性パターンの厚さがパターンくずれのおそれによって制限されることがなく、生産性よく形成でき、有機分子を含む導電性材料にも適用できる導電性パターン及びその形成方法を提供すること。【解決手段】 まず、シリコン基板1の上に、有機半導体によるチャネル部を形成する領域を凹部6として区画するフォトレジスト層5を形成する。次に、酸素プラズマによるアッシングや紫外光照射下でのオゾン処理などの親水性化処理を行い、基板表面に親水基7を形成する。次に、親水性有機半導体分子(PEDOT/PSS)の混合水溶液を塗布によって基板表面に被着させ、水分を蒸発させることで、凹部6に有機半導体層8を形成する。次に、リフトオフ加工によってフォトレジスト層5を基板表面から剥離する。これにより、各導電性パターン8の間の電気的絶縁が保証される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基体上に導電性材料からなる導電性パターンを形成する方法であって、前記基体上の前記パターン形成領域以外をパターン区画材料で被覆する工程と、前記パターン形成領域の表面に前記導電性材料との親和性を増大させるための表面処理を施す工程と、前記表面処理を施された前記パターン形成領域の表面に前記導電性材料を被着させる工程とを行う、導電性パターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/28
Fターム (28件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG51 ,  5F110HK03 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 国際公開番号WO2004/006337(第15-21頁、第1図)
  • 導電性パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-092438   出願人：富士写真フイルム株式会社
  • パターンの形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-231974   出願人：大日本印刷株式会社

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