特許
J-GLOBAL ID：200903034636836211
半導体基板の切断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-213499
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109442
出願日： 2004年07月21日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 表面に機能素子が形成された半導体基板をダイボンド樹脂層と共に効率良く切断し得る半導体基板の切断方法を提供する。【解決手段】 表面3に機能素子15が形成されたウェハ11の裏面17をレーザ光入射面とし、ウェハ11の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することで、多光子吸収を生じさせて切断予定ライン5に沿ってウェハ11の内部に溶融処理領域13による切断起点領域8を形成する。これにより自然に或いは比較的小さな力で切断起点領域8を起点として割れを発生させ、その割れを表面3と裏面17とに到達させることができる。従って、切断起点領域8形成後に、ウェハ11の裏面17にダイボンド樹脂層23を介在させて拡張フィルム21を貼り付け、その拡張フィルム21を拡張させると、切断予定ライン5に沿ってウェハ11及びダイボンド樹脂層23を切断することができる。【選択図】 図16
請求項（抜粋）：
表面に機能素子が形成された半導体基板を切断予定ラインに沿って切断する半導体基板の切断方法であって、
前記半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成し、その改質領域によって、前記切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、
前記切断起点領域を形成した後に、前記半導体基板の裏面にダイボンド樹脂層を介在させて拡張可能な保持部材を取り付ける工程と、
前記保持部材を取り付けた後に、前記保持部材を拡張させることで前記半導体基板及び前記ダイボンド樹脂層を前記切断予定ラインに沿って切断する工程とを備えることを特徴とする半導体基板の切断方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 B
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 X
