特許
J-GLOBAL ID：200903034676644854
圧電薄膜素子及びそれを用いたアクチュエータ並びにセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-199975
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019302
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 鉛フリーで、かつ、十分な圧電特性を有する圧電薄膜素子及びそれを用いたアクチュエータ並びにセンサを提供するものである。【解決手段】 本発明に係る圧電薄膜素子10は、基板11上に、下部電極12、圧電薄膜14、及び上部電極15を有するものであり、 圧電薄膜14を、一般式(NaxKyLiz)NbO3(0<x<1、0<y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表記されるアルカリニオブ酸化物系のペロブスカイト化合物で構成される誘電体薄膜とし、 その圧電薄膜14と下部電極12の間に、バッファ層13として、ペロブスカイト型結晶構造を有し、かつ、(001)、(100)、(010)、及び(111)のいずれかの面方位に高い配向度で配向され易い材料の薄膜を設けたものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、下部電極、圧電薄膜、及び上部電極を有する圧電薄膜素子において、
上記圧電薄膜を、一般式(NaxKyLiz)NbO3(0<x<1、0<y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表記されるアルカリニオブ酸化物系のペロブスカイト化合物で構成される誘電体薄膜とし、
その圧電薄膜と上記下部電極の間に、バッファ層として、ペロブスカイト型結晶構造を有し、かつ、(001)、(100)、(010)、及び(111)のいずれかの面方位に高い配向度で配向され易い材料の薄膜を設けたことを特徴とする圧電薄膜素子。
IPC (7件)：
H01L 41/08
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H02N 2/00
, C23C 14/06
, G01L 1/16
H01L41/08 Z
, H01L41/08 C
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101Z
, H02N2/00 B
, C23C14/06 N
, G01L1/16 B
, G01L1/16 C
4K029AA04
, 4K029AA24
, 4K029BA13
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC35
, 4K029DC39
