半導体レーザー素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187561
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036482
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は、高出力動作の可能な低ノイズ半導体レーザー素子を得ること、及び、その結果、高周波重畳回路の不要な、記録書き込み兼読み取り用ピックアップを得ることにある。【解決手段】本発明の半導体レーザー素子は、半導体基板上1に形成された下部クラッド層2と、下部クラッド層2上に形成された活性層3と、活性層3上に形成された上部第一クラッド層4及び上部第二クラッド層6からなる上部クラッド層と、上部クラッド層の内に電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えた半導体レーザー素子において、電流制限層が発光端面付近の第一電流制限層5と発光端面付近以外の第二電流制限層10とから成り、第二電流制限層10が第一電流制限層5より活性層3側に設けられると共に、第二電流制限層10に形成されたストライプ溝の一部が第一電流制限層5に形成されたストライプ溝より狭いことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された上部クラッド層と、該上部クラッド層の内に電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えた半導体レーザー素子において、前記電流制限層を構成する材料が発光端面付近とそれ以外の領域で異なり、かつ発光端面付近以外の材料部が、発光端面付近の材料部よりも、前記活性層に近いところに設けられていると共に、発光端面付近以外の材料部のストライプ溝の一部が発光端面付近の材料部のストライプ溝より狭いことをことを特徴とする半導体レーザー素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-267532 出願人：沖電気工業株式会社

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