特許
J-GLOBAL ID：200903034746166874
CVD成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354603
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189488
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】チャンバー内のクリーニング後ダミーウエハ等のダミーを用いることなく成膜を行うことができるCVD成膜方法を提供すること。【解決手段】成膜終了後、チャンバー内をドライクリーニングし、その後、次の成膜に至るまでの間ガス配管およびチャンバー内を不活性ガスによりパージする。そして、チャンバー内に次の被処理基板を装入してその上にCVDにより薄膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
チャンバー内をクリーニングしてから、チャンバー内に被処理基板を導入して基板上にCVDにより薄膜を形成するCVD成膜方法であって、成膜終了後のチャンバー内をドライクリーニングする工程と、次の成膜に至るまでの間ガス配管およびチャンバー内を不活性ガスによりパージする工程と、その後、チャンバー内に次の被処理基板を装入してその上にCVDにより薄膜を成膜する工程と、を具備することを特徴とするCVD成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, C23C 16/44
, H01L 21/205
H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 R
, C23C 16/44 D
, H01L 21/205
