特許
J-GLOBAL ID:200903051427058688
処理装置のシャワーヘッド構造及び処理ガスの供給方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
浅井 章弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-119403
公開番号(公開出願番号):特開平8-291385
出願日: 1995年04月20日
公開日(公表日): 1996年11月05日
要約:
【要約】【目的】 内部で成膜が発生することを防止することができる処理装置のシャワーヘッド構造を提供する。【構成】 複数種類の処理ガスにより被処理体Wの表面に成膜を行なう処理装置に設けられ、前記処理ガスを供給すべく処理空間Sに臨ませた多数のガス噴射孔78を形成したシャワーヘッド本体56を有するシャワーヘッド構造において、複数種類の処理ガスの流れるガス流路53,54をそれぞれ別々に設け、流路途中でこれらのガスが混合しないようにする。そして、ガス噴射孔から処理空間Sに噴射させた時にこれらのガスを初めて混合させるようにする。
請求項(抜粋):
複数種類の処理ガスにより被処理体の表面に成膜を行なう処理装置に設けられ、前記処理ガスを供給すべく処理空間に臨ませた多数のガス噴射孔を形成したシャワーヘッド本体を有するシャワーヘッド構造において、前記シャワーヘッド本体には、前記複数種類の処理ガスの流れるガス流路を、前記ガス噴射孔に至るまで別個独立させて形成してあることを特徴とする処理装置のシャワーヘッド構造。
IPC (3件):
C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/285
FI (3件):
C23C 16/44 D
, H01L 21/205
, H01L 21/285 C
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平1-294868
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TiN-CVD用ガス導入法およびガス導入機構
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-069255
出願人:日電アネルバ株式会社
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特開平3-122281
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薄膜形成方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-355686
出願人:東京エレクトロン株式会社, 富士通株式会社
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処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-185502
出願人:東京エレクトロン株式会社
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