特許
J-GLOBAL ID：200903034769366919
エピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240948
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063956
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 平坦なエピタキシャル面を得ることができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。電気特性が良好となるエピタキシャルウェーハを製造する。【解決手段】 1000°C以上のH2アニール後、PWのエピタキシャル成長温度を900°C以下に低温化する。この結果、1000°C以上の高温でのエピタキシャル成長の場合に比較して、エピタキシャル層表面の平坦度を高めることができ、かつ、パーティクルカウンタでのヘイズレベルをも低減できる。よって、結晶欠陥を発生させずに、その電気的特性を高く維持することができる。また、このエピタキシャル成長後の洗浄をHCl液のみで行う。SC1液での洗浄を取りやめることで、エピタキシャルウェーハの表面の平坦性を維持することができる。よって、その電気的特性・結晶性などを良好に保持することができる。
請求項（抜粋）：
鏡面加工が施されたシリコンウェーハの鏡面にシリコン層をエピタキシャル成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造方法において、上記シリコンウェーハを1000°C以上でH2アニール処理した後、上記エピタキシャル成長を行うとともに、このエピタキシャル成長での成長温度を900°C以下としたエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/20
, H01L 21/304 341
H01L 21/20
, H01L 21/304 341 L
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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