特許
J-GLOBAL ID：200903034770406177

シリコン製造装置および製造方法

発明者：
松谷 勝博

松谷 勝博 について

, 
若松 智

若松 智 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-187654
公開番号（公開出願番号）：特開2003-002628
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】 析出ゾーンの加熱体の破損や析出ゾーンの原料ガス供給口近辺でのシリコン詰りを防止してシリコンを連続して円滑に製造する装置と製造方法を提供すること。【解決手段】 クロロシラン類と水素を反応せしめてシリコンを生成せしめる析出ゾーンと析出したシリコンを融液として落下せしめる落下ゾーンを備えたシリコン製造装置であって、析出ゾーンと落下ゾーンとの温度を独立に制御する加熱手段を備えたシリコン製造装置並びにシリコンを析出せしめる温度と、落下するシリコンの融液の温度と同等または異なる温度に制御するシリコンの製造方法。
請求項（抜粋）：
加熱体及び該加熱体を加熱する加熱手段を備え、該加熱体の表面において、クロロシラン類と水素との反応により生成したシリコンを融液として流下させて該加熱体の下端より落下せしめるようにしたシリコン製造装置であって、上記加熱手段が、加熱体の加熱ゾーンを複数段に分けて各ゾーンの温度を独立に制御し得るように、分割して設けられたことを特徴とするシリコン製造装置。
Fターム (12件)：
4G072AA01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH07 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ01 ,  4G072MM01 ,  4G072RR04 ,  4G072RR12 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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