結晶の製造方法及び製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126031
公開番号（公開出願番号）：特開平11-314996
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】気相成分原料を用いたシリコン単結晶及び多結晶の製造方法及び製造装置。【解決手段】発熱固体8あるいは溶融液16に対向して、ガス吹出し口7が連結された高周波コイル1あるいは複数の絶縁縦溝を有する金属性導電体障壁22を配置し、前記発熱固体8あるいは溶融液16に対し前記高周波コイル1により誘導加熱を行い、さらに、前記発熱固体8あるいは溶融液16の表面に前記ガス吹出し口7より原料成分ガスを供給し、折出原料の溶融点以上の温度において、上部発熱固体8の下部に溶融液滴8-1’の発生を行い、これを下降流出させ、あるいは、下部溶融液帯16上に溶融液の発生を行い、溶融液帯を支持する固体単結晶18の上に浮遊帶法により単結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

発熱固体と、該発熱固体の下部表面に対向して配置された高周波コイルと、該コイル面に設けられた少なくとも1個のガス吹き出し口とを備え、前記発熱固体を前記高周波コイルにより折出成分元素あるいは化合物の溶融点以上の温度に誘導過熱し、前記少なくとも1個のガス吹き出し口から前記発熱固体の下部表面に少なくとも1種類の前記成分元素を含む原料ガスを吹き付け、前記発熱固体の下部表面で前記成分元素あるいは化合物の折出と溶解を行わせ、折出した溶融液を前記発熱固体の低部より滴下あるいは下降流出させて結晶の製造を行うことを特徴とする結晶の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/06 , C30B 29/06 501 , C30B 29/06 502 , C01B 33/023 , C30B 13/28 , C30B 13/32

FI (7件)：

C30B 29/06 , C30B 29/06 D , C30B 29/06 501 A , C30B 29/06 502 A , C01B 33/023 , C30B 13/28 , C30B 13/32

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-007619
特開昭46-005425
特公昭60-046072

全件表示

前のページに戻る