特許
J-GLOBAL ID:200903034776538199

銅箔基材上のメッキ皮膜における異常結晶析出防止剤並びに当該防止方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 豊永 博隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-299158
公開番号(公開出願番号):特開2000-109981
出願日: 1998年10月05日
公開日(公表日): 2000年04月18日
要約:
【要約】【課題】 スズ又はスズ合金メッキを施すに際して、銅箔基材をメッキした直後のスズの異常結晶析出を有効に防止する。【解決手段】 (A)塩酸、硫酸などの無機酸、及び有機スルホン酸、有機カルボン酸などの有機酸よりなる酸の少なくとも一種と、(B)アンモニウム化合物(ペルオキソ系アンモニウム化合物を除く)、アンモニア及びアミン系化合物の少なくとも一種を含有する銅箔基材上のメッキ皮膜における異常結晶析出防止剤である。上記アンモニウム化合物などが銅箔に作用したうえで酸が働くため、銅箔基材を当該異常結晶析出防止剤に接触処理した後に、スズ又はスズ合金メッキを施すと、メッキ直後のスズの異常結晶析出を有効に防止できる。
請求項(抜粋):
(A)塩酸、硫酸、硝酸などの無機酸、及び有機スルホン酸、有機カルボン酸などの有機酸よりなる酸の少なくとも一種、(B)アンモニウム化合物(ペルオキソ系アンモニウム化合物を除く)、アンモニア及びアミン系化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする銅箔基材上のメッキ皮膜における異常結晶析出防止剤。
IPC (7件):
C23C 18/18 ,  C23C 18/31 ,  C23G 1/02 ,  C25D 3/30 ,  C25D 5/34 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/18
FI (7件):
C23C 18/18 ,  C23C 18/31 Z ,  C23G 1/02 ,  C25D 3/30 ,  C25D 5/34 ,  H01L 21/60 311 W ,  H05K 3/18 J
Fターム (50件):
4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA21 ,  4K022CA07 ,  4K022CA15 ,  4K022CA16 ,  4K022CA23 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  4K022DB08 ,  4K023AA17 ,  4K023AB33 ,  4K023BA15 ,  4K023CA04 ,  4K023CB17 ,  4K024AA07 ,  4K024AB01 ,  4K024BA09 ,  4K024BB11 ,  4K024DA03 ,  4K024DA06 ,  4K024DA07 ,  4K024GA16 ,  4K053PA06 ,  4K053PA11 ,  4K053RA15 ,  4K053RA16 ,  4K053RA19 ,  4K053RA25 ,  4K053RA45 ,  4K053RA52 ,  4K053RA55 ,  4K053RA64 ,  4K053RA67 ,  4K053SA06 ,  4K053TA09 ,  4K053TA16 ,  4K053ZA10 ,  5E343BB24 ,  5E343BB34 ,  5E343BB55 ,  5E343BB67 ,  5E343CC78 ,  5E343DD33 ,  5E343GG20 ,  5F044MM02 ,  5F044MM07 ,  5F044MM22 ,  5F044MM35 ,  5F044MM44
引用特許:
審査官引用 (5件)
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