特許
J-GLOBAL ID：200903065068202833
無電解スズメッキ浴、及び当該メッキ浴を用いてスズメッキ皮膜を形成したTABのフィルムキャリア
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊永 博隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-094868
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036973
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：
【要約】【課題】 金属の析出速度が速くて作業性が良いと同時に、得られたメッキ皮膜のボンディング性が良好である無電解スズメッキ浴を開発する。【解決手段】 (A)第一スズの可溶性塩、(B)有機スルホン酸などの酸、(C)錯化剤よりなるメッキ浴に、標準酸化還元電位が-0.8〜+0.8ボルトの範囲内にある金属の可溶性塩を実質的にスズ合金メッキ皮膜を形成しない範囲内で微量配合した無電解スズメッキ浴である。上記特定の金属可溶性塩を所定の微量範囲内に限定して配合するため、迅速なスズメッキ皮膜の増膜効果と良好なボンディング性を有効に両立できる。このため、低温度で無電解スズメッキを施すことができ、生産性が向上するうえ、TAB方式などにも有効に対応できる。
請求項（抜粋）：
(A)第一スズの可溶性塩、(B)アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸、脂肪族カルボン酸などの有機酸、或は、塩酸、硫酸、ホウフッ化水素酸などの無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸、(C)錯化剤よりなる無電解スズメッキ浴において、標準酸化還元電位が-0.8〜+0.8ボルトの範囲内にある金属の可溶性塩を実質的にスズ合金メッキ皮膜を形成しない範囲内で微量配合することを特徴とする無電解スズメッキ浴。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 18/31 Z
, C23C 18/52
