特許

J-GLOBAL ID：200903034809449502

半導体装置およびその製造方法ならびにバイポーラトランジスタ

発明者： 川崎 洋司 ,  高橋 武人 ,  村上 隆志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200957
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078674
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 不純物の電気的活性化のための熱処理によって不純物が拡散するのを有効に抑制し得る半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 p型のソース/ドレイン領域6aおよび6bの接合深さと同等以上の深さを有する窒素注入領域7aおよび7bをソース/ドレイン領域6aおよび6bの接合領域の全域に沿って形成する。

請求項（抜粋）：

主表面を有する第1導電型の半導体領域と、前記半導体領域の主表面上にチャネル領域を挟むように所定の間隔を隔てて形成された所定の接合深さを有する第2導電型の1対のソース/ドレイン領域と、前記ソース/ドレイン領域の接合深さと同等以上の深さを有し、前記ソース/ドレイン領域の接合領域の全域に沿って形成され、窒素,フッ素,アルゴン,酸素,炭素からなる群より選ばれた1つを含む注入層と、前記チャネル領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極とを備えた、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (5件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-197248   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-066165
  
• 特開平3-046238