特許

J-GLOBAL ID：200903034814092477

カーボンナノ構造体の製造方法、触媒金属基材および触媒反応容器

発明者： 久貝 裕一 ,  日方 威
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (3件)： 中野 稔 ,  山口 幹雄 ,  二島 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-043734
公開番号（公開出願番号）：特開2007-223820
出願日： 2006年02月21日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】 高純度で長尺のカーボンナノ構造体を安定して製造することが可能なカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 密閉容器と、前記密閉容器の内部空間を第一の空間と第二の空間に仕切る触媒金属基材と、前記触媒金属基材を固定する固定部材と、を備えた触媒反応容器を用い、前記触媒金属基材は、前記第一の空間に接する第一の表面と前記第二の空間に接する第二の表面を有するように配置されており、かつ前記第二の表面の少なくとも一部に、前記触媒金属基材表面から成長させた炭素塊を備えており、前記第一の空間に少なくとも炭素を含む原料ガスを供給し、前記第一の表面から前記触媒金属基材の内部を通って前記第二の表面に達した炭素を、前記炭素塊を基点としてカーボンナノ構造体に成長させる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

密閉容器と、前記密閉容器の内部空間を第一の空間と第二の空間に仕切る触媒金属基材と、前記触媒金属基材を固定する固定部材と、を備えた触媒反応容器を用い、 前記触媒金属基材は、前記第一の空間に接する第一の表面と前記第二の空間に接する第二の表面を有するように配置されており、かつ前記第二の表面の少なくとも一部に、前記触媒金属基材表面から成長させた炭素塊を備えており、 前記第一の空間に少なくとも炭素を含む原料ガスを供給し、 前記第一の表面から前記触媒金属基材の内部を通って前記第二の表面に達した炭素を、前記炭素塊を基点としてカーボンナノ構造体に成長させることを特徴とする、カーボンナノ構造体の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 ,  B01J 19/24

FI (2件)：

C01B31/02 101F ,  B01J19/24 A

Fターム (24件)：

4G075AA22 ,  4G075AA27 ,  4G075BA05 ,  4G075BC04 ,  4G075CA54 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EE12 ,  4G146AA11 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA12 ,  4G146DA26 ,  4G146DA40 ,  4G146DA46

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭60-54998号公報
  
• カーボンナノチューブの合成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-175498   出願人：李鉄真, 株式会社日進ナノテック
• 単層カーボンナノチューブの製造方法およびゼオライトの除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-394105   出願人：株式会社豊田中央研究所, 名古屋大学長
• 特許第3421332号公報
  

審査官引用 (1件)

• カーボンナノ構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-220432   出願人：住友電気工業株式会社