特許

J-GLOBAL ID：200903034855525248

光起電力素子の製造方法

発明者： 塩崎 篤志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224673
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056192
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 高反射率で高信頼性の反射層を有し、光電気変換率の高い光起電力素子の製造方法を提供する【解決手段】 基板上に反射層を設け、その上に透明導電層、半導体層および透明電極層を少なくとも設けてなる光起電力素子の製造方法において、該反射層を、金属および/または金属含有物をターゲット208とし、真空容器201内にスパッタガスを供給し、基板204にバイアス直流電圧(207電源)を変化させつつ印加してスパッタリングを施すことにより形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に反射層を設け、その上に透明導電層、半導体層および透明電極層を少なくとも設けてなる光起電力素子の製造方法において、該反射層を、金属および/または金属含有物をターゲットとし、真空容器内にスパッタガスを供給し、基板にバイアス直流電圧を変化させつつ印加してスパッタリングを行うことにより形成することを特徴とする光起電力素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (5件)：

H01L 31/04 F ,  C23C 14/14 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池の製造方法及びそれに供されるスパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349637   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭63-312966
  
• 特開平2-222140