特許
J-GLOBAL ID:200903034869855925

集積化薄膜太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-173871
公開番号(公開出願番号):特開平11-026795
出願日: 1997年06月30日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 第1電極層と第3電極層との接続部でのシリーズ抵抗の増大を防ぎ、効率及び信頼性の高い太陽電池を得る。【解決手段】 透光性絶縁基板1上に順次積層された第1電極層2、半導体光電変換層3、第2電極層4及び第3電極層5が複数の太陽電池セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線によって分割されていてかつそれらの複数のセルが電気的に直列接続された集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、それらの第1電極層と隣接する太陽電池セルの第3電極層との接続のための半導体光電変換層と第2電極層との積層体の接続用開口部7の形成が積層面側からのレーザービームの照射72によって行われることを特徴とする集積化薄膜太陽電池の製造方法により、第3電極層の接続用開口部での付着力及び機械的強度を増大させる。また、該開口部の周囲が結晶化することにより、更なるシリーズ抵抗の低減も期待できる。
請求項(抜粋):
透光性絶縁基板上に順次積層された第1電極層、半導体光電変換層、第2電極層及び第3電極層が複数の太陽電池セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線によって分割されていてかつそれらの複数のセルが電気的に直列接続された集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、それらの第1電極層と隣接する太陽電池セルの第3電極層との接続のための半導体光電変換層と第2電極層との積層体の接続用開口部の形成が積層面側からのレーザービームの照射によって行われることを特徴とする集積化薄膜太陽電池の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (5件)
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