特許

J-GLOBAL ID：200903034878015700

結晶育成方法及びその装置

発明者： 柿本 浩一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324983
公開番号（公開出願番号）：特開平7-172979
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：

【要約】【目的】従来は不可能であった結晶成長における物性値を制御するための装置及びそれを用いた結晶成長方法を提供する。【構成】カーボン性電極4を坩堝3中のシリコン融液2上に設置し、直流電圧を印加しながら結晶成長を行った。電圧を印加することでシリコン融液2の表面のメニスカス形状を静電力によって制御することが可能となるので、結晶育成速度を1mm/minから2mm/minへ増加させた場合においても、濡れ角はほぼ一定となることが育成装置5に装着したX線透視装置6,7により確認された。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法、又は液体封止チョクラルスキー法による結晶育成を、融液表面と電極間に電場を印加しながら行うことを特徴とする結晶育成方法。

IPC (3件)：

C30B 15/22 ,  C30B 27/02 ,  C30B 30/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 結晶引き上げ法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215468   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド